Micron Technology var den första som massproducerade fasminne för mobila enheter. Vissa är ännu inte medvetna om fördelarna med denna innovativa teknik. För att ta reda på hur ett sådant telefonminne kommer att fungera måste du analysera funktionsprincipen för denna mikrokrets, som kan växla från en fas till en annan.
Fasminnet är en integrerad krets som är baserad på en fasövergång med nanorör. Experter kallar det annorlunda: PRAM, Ovonic Unified Memory, PCM, PCRAM, C-RAM och Chalcogenide RAM.
Huvudversionen av hennes verk är den exceptionella omvandlingen av kalkogeniden, som kan passera från ett amorft tillstånd till ett kristallint och vice versa. Detta händer på grund av effekten av höga temperaturer av elektrisk ström på ämnets molekyler.
Detta minne betraktas som icke-flyktigt. Eftersom den har förmågan att spara information även när strömmen är avstängd. Och arbetets hastighet kan bara jämföras med DRAM och till och med överträffa det.
Förutom oberoende från energi och hög prestanda har PCM-minne ett stort antal omskrivningsfunktioner, en enorm cellstorlek för lagring av information, utmärkt motstånd och tillförlitlighet mot externa faktorer.
Alla ovanstående egenskaper hos fasomkopplat minne gör det möjligt att avsevärt underlätta utformningen av kretsar i mikroelektroniska enheter och samtidigt förbättra deras kvalitet och multiplicera deras funktionella egenskaper.
Vid denna tidpunkt utvecklas fasminne och rekonstrueras ständigt av så välkända företag som Samsung, Intel, Numonyx, IBM. Den kan användas inom områden som medicinsk elektronik, fordonsindustri, rymdteknik, kärnkraftsindustri etc. Dessutom blir denna teknik helt enkelt oersättlig i smartphones, surfplattor och datorer.
Micron förklarade att fasminnet ger den elektroniska enheten möjligheten att starta på kort tid, med låg strömförbrukning, har högsta prestanda och tillförlitlighet. Denna nya prestation, som forskare har kallat "framtidens minne" kommer att kunna konkurrera med flashminnet.
